3-6”單晶矽棒
我(wǒ)(wǒ)們采用磁場拉晶及連續加料工(gō樹技ng)藝，提升晶棒電(diàn)阻率徑向均勻度及阻值對檔率，單晶矽會報棒質量品質高于行業标準，可生(shēng)産電(diàn)國公阻率範圍0.001-55Ω·cm的輕摻及重摻單晶矽拍鄉棒，具有行業領先的磁場直拉單晶生(shēng)長技術。
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規格 |
電(diàn)阻率Ω·CM |
長度mm |
晶向 |
少子壽命μs |
外(wài)徑mm |
摻雜(zá)劑 |
形态 |
徑向電(diàn)阻率變化 |
氧含量（atoms/cm³） |
碳含量（atoms/cm³） |
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抛光棒 |
定位棒 |
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3” |
0.001-55 |
根據客戶要求 |
<111> |
＞100 |
76.2±0.3 |
磷/硼 |
√ |
√ |
≤20% |
≤1×1018 |
≤5×1016 |
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4” |
0.001-55 |
根據客戶要求 |
<111> |
＞100 |
101.6±0.3 |
磷/硼 |
√ |
√ |
≤20% |
≤1×1018 |
≤5×1016 |
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5” |
0.001-55 |
根據客戶要求 |
<111> 外見 |
＞100 |
125±0.3 |
磷/硼 |
√ |
√ |
≤20% |
≤1×1018 |
≤5×1016 |
